Número do Produto do Fabricante:
SPB21N10 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB21N10 G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12808471
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SPB21N10 G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 44µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
865 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB21N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB30NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
971
NÚMERO DA PEÇA
STB30NF10T4-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.66
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IRF540SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2846
NÚMERO DA PEÇA
IRF540SPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.90
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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